Techlosure 
Akıllı telefonlarda cihaz içi yapay zeka uygulamaları yaygınlaştıkça belleğin ısınma ve veri aktarım sınırları da öne çıkıyor. Bu sorunu kökten çözmek için SK Hynix, sektörde bir ilk olan “Kalıplama Bileşiği” (Encapsulation Compound) temelli yeni mobil DRAM teknolojisini tanıttı.
ENCAPSULATION COMPOUND İLE %350 DAHA YÜKSEK TERMAL İLETKENLİK
Yeni tasarımda bellek yongaları, epoksi bazlı kalıplama bileşiğine silika ve alümina eklenerek paketleniyor. Bu sayede ısının yonga üzerinden dış ortama aktarımı eskisine göre %350 daha verimli hale geliyor.
DÜŞÜK TERMAL DİRENÇ, DAHA AZ AŞIRI ISINMA
- Yeni DRAM’lerde dikey ısıl direnç %47 oranında azalıyor.
- Geleneksel anakart düzeninde DRAM yongaları doğrudan işlemci yonga setinin üzerine yerleştirilirken, yoğun AI iş yüklerinde aşırı ısınmaya neden olabiliyordu.
- SK Hynix’in geliştirdiği bileşik, ısının çabuk uzaklaşmasını sağlayarak bu sorunu büyük ölçüde ortadan kaldırıyor.
DAHA UZUN PİL ÖMRÜ VE ARTAN PERFORMANS
Bu termal iyileşme, akıllı telefonların:
- Sürekli yüksek performans sunmasına
- Aşırı ısınma nedeniyle devre kesintilerine daha az maruz kalmasına
- Dolayısıyla pil ömrünün uzamasına olanak tanıyor.
SK Hynix Paket Ürün Geliştirme Başkanı Lee Gyu-jei, bu ilerlemeyi “anlamlı bir başarı” olarak değerlendiriyor ve özellikle amiral gemisi kullanıcılarının yaşadığı ısınma problemlerinin çözümüne işaret ediyor.
2026’DA PİYASADA
Kesin çıkış tarihi henüz açıklanmasa da, yeni mobil DRAM’in 2026 itibarıyla en üst segment akıllı telefonlarda yer alması bekleniyor. Bu tarihte, cihaz içi yapay zeka uygulamalarının çok daha yüksek performans ve verimlilikle çalışması mümkün hale gelecek.
About the Author
