Techlosure 
Güney Kore merkezli bellek üreticisi SK Hynix, Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) alanındaki başarısının ardından şimdi de mobil cihazlardaki yapay zeka darboğazını aşmayı hedefliyor. Şirket, “dikey kablo fan-out” (VFO) adı verilen özel bir paketleme teknolojisiyle 16 adet DRAM ve NAND yongasını üst üste yerleştirerek Yüksek Bant Genişlikli Depolama (HBS) çözümünü geliştiriyor.
VFO TEKNOLOJİSİ NEDEN ÖNEMLİ?
VFO, geleneksel kavisli kablo bağlama yöntemlerinin aksine, yongaları düz bir çizgide bağlayarak sinyal kaybını ve gecikmeyi azaltıyor. Bu sayede veri işleme hızları artarken daha fazla G/Ç bağlantısı sağlanabiliyor. ETNews’e göre, HBS’nin başarısı büyük ölçüde VFO paketlemesine bağlı.
PERFORMANS VE UYUMLU YONGA SETLERİ
HBS teknolojisinin, akıllı telefon ve tablet anakartlarına entegre edilen yonga setleriyle birlikte sunulması planlanıyor. Henüz resmi bir uyum listesi açıklanmasa da, LPDDR6 ve UFS 5.0 desteğiyle öne çıkan Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro’nun bu teknoloji için güçlü bir aday olduğu konuşuluyor.
MALİYET AVANTAJI: TSV’SİZ TASARIM
HBM teknolojisinin aksine, HBS üretiminde maliyetli “Through Silicon Via” (TSV) işlemine gerek duyulmuyor. Bu da üretim maliyetlerini düşürürken verimliliği artırıyor. Mobil cihaz üreticileri için bu avantaj, HBS’yi cazip bir seçenek haline getiriyor.
APPLE DA RADARINDA
Apple’ın, gelecekteki iPhone modellerinde daha gelişmiş yapay zeka özelliklerini desteklemek için HBM ve TSV teknolojilerini değerlendirdiği biliniyor. Ancak daha düşük maliyetli HBS çözümünün de Apple tarafından incelendiği belirtiliyor.
About the Author
